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　　南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将重整业务组织，将DRAM、NAND Flash、CMOS影像感测器(CIS)等三大事业群分开各自营运，事业群自行加强竞争力，而SK海力士将把事业重心放在NAND Flash上。 SK海力士近来重整CEO底下设置的未来技术研究院、研发部门等研发组织，并分为未来技术研究院、DRAM研发部门和NAND Flash总括本部。简言之，研发部门旗下分割成DRAM研发本部和NAND Flash研发本部。 过去Flash和CIS行销小组也重整为Flash行销小组。 CIS行销本部整并入CIS事业部。 SK海力士在DRAM市场上地位稳固，未来将加强NAND Flash的事业力量。

　　7月2日，英伟达韩国业务负责人Yoo Eung-joon在首尔举行的新闻发布会上证实，英伟达下一代GPU将采用三星的7nm EUV工艺生产。 此前，有报道曾透露英伟达的新一代GPU将会交给三星代工，今日英伟达韩国业务负责人Yoo Eung-joon的发言证实了这一说法。 “三星的7纳米工艺将被用于我们的下一代GPU生产，这一合作意义重大，”Yoo Eung-joon表示，“直到最近，三星一直在努力寻求晶圆代工方面的合作伙伴” 尽管Yoo Eung-joon并未披露三星的具体代工产量，但是他承认产量“可观”。他拒绝评论英伟达是否计划在代工生产上对三星提出进一步要求。 产业人士指出，英伟达改与三星合作，而非长期合作的台积电，颇具

　　内存市况热，不但DRAM供需出现吃紧情况，业界估计，目前有钱也不一定买得到的NAND Flash部分规格产品，供需缺口最少到年底，而且如果下半年苹果iPhone 8卖得太好，相关缺口将会更为扩大，价格也易涨难跌。 业者指出，可预期NAND Flash今年的供需都会非常吃紧。 现在TLC产品呈现大缺货状态，2D的TLC在原厂逐渐转进3D NAND之后，供给量持续变少，而且大概都供货给苹果，至于3D TLC NAND，目前有48层堆栈产品，但正在转进64层堆栈的过程中。 同时，业界认为，3D TLC NAND新产品供给量从第2、3季起会逐渐增加，不过变量是苹果iPhone 8即将推出，届时如果销售量超乎预期，对于NAND Fl

　　北京时间9月24日晚间消息，在SK海力士无锡工厂本月发生火灾后，DRAM存储芯片的价格已大幅上涨42%，这意味着智能手机和计算机厂商正面临更高的元件成本。 根据亚洲最大DRAM存储芯片市场DRAMeXchange的数据，2GB DDR3 DRAM芯片的价格周一上涨至2.27美元，而9月4日SK海力士无锡工厂发生火灾时为1.60美元。SK海力士预计，受火灾影响的生产线将于下月恢复生产。 SK海力士是全球第二大存储芯片提供商，客户包括苹果(489.1, -1.54, -0.31%)公司、戴尔(13.88, 0.00, 0.00%)和索尼(21.37, 0.08, 0.38%)。该公司已经提高了韩国工厂的产量，以缓解火灾带来

　　茂德以新台币85亿元价格将茂德位于竹科12寸晶圆厂Fab-2(未来将成为旺宏的Fab-3)出售予旺宏电子。茂德售厂所获得新台币85亿元资金中，估计约有25亿~30亿元将用于偿还银行债务，减轻偿债压力。由于茂德另一12寸厂位于中科的Fab-3制程仅为75nm，欠缺竞争力，因此茂德售厂后获得资金将可提升其Fab-3，并于2010年第4季增加产出。 因茂德替尔必达(Elpida)代工，故在 DRAM市场争夺战中，尔比达将是主要受益者；另一方面，旺宏在ROM及NOR Flash产品市场近一年来，因NOR Flash领导厂商飞索(Spansion)在2009年发生财务危机，NOR Flash市场虽仍由飞索、恒忆(Numonyx)、

　　美国最大存储芯片制造商美光科技周三宣布，公司将在 2023 年裁员大约 10%，并停发奖金。这再次表明，科技行业的增长放缓正在影响就业。 作为减少资本支出的一部分，消息称美光将使用 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 推迟到 2025 年，232 层之后的 NAND 节点也被推迟。 美光 1γ 制造技术中原定于 2024 年的某个时候推出，但因为美光必须在 2023 和 2024 财年减少新设备的支出，并减少 DRAM bit 出货量，它将不得不放慢 DRAM 在其 1β 和 1γ 制造技术上的增长速度。 据了解，该公司最新的 1β 制造节点 —— bit 密度提高了 35%，电源效率提高了 15%，不过这一技

　　技术推迟到 2025 年 /

　　集微网消息，据台湾经济日报报道，大陆积极发展内存产业，但由于仍难突破三DRAM大厂的技术防线，在政策与时间压力下，反而凸显台厂扮演关键少数的重要性，业界分析台厂未来势必成为大陆首要争取合作的对象。 大陆的内存产业，目前形成紫光集团、合肥睿力及福建晋华等三大势力，但在美光发动司法调查，紧盯三大厂窃取专利和营业秘密行为后，日前紫光已表态未来将朝自主研发前进。 另合肥睿力由前华亚科副总刘大维主导的团队，仍如火如荼进行，并宣示明年要切入19nm生产DRAM；福建晋华则和联电合作，委托联电开发DRAM相关制程技术，生产利基型DRAM，团队由瑞晶、美光台湾前总经理，现任联电资深副总经理陈正坤领军，同时出任福建晋华总经理。 据了解，联电为福建晋

　　在芯片制造过程中，为了将掩模版上的设计线路图形转移到硅片上，首先需要通过曝光工艺（光刻）来实现转移，然后通过刻蚀工艺得到硅图形。光刻技术最早应用于印刷行业，并且是早期制造PCB的主要技术。自20世纪50年代开始，光刻技术逐步成为集成电路芯片制造中图形转移的主流技术。 过去几十年里，芯片制造商一直使用193nm波长的ArF深紫外(DUV)光刻技术来生产芯片。 不过随着集成电路制造工艺持续微缩，尤其在进入7nm、5nm时代后，芯片集成度不断提升，在追求更高的图形密度的目的之下，无论如何改进ArF光的生产工艺，都无法再满足相应需求。 因为在7nm节点集成电路产品工艺技术的开发上，采用193浸式（193i）光刻技术需要进